数码讯(Eskimo)高通在去年推出的旗舰芯片骁龙810一直存在发热严重的问题,这也给高通带来了不少的困扰。最近有传闻称,新一代骁龙820芯片并未解决发热问题,这也引发了外界的担忧。不过根据业内人士的说法,这条传闻并不属实。
IHS Technology中国研究总监王阳日前透过微博声称,骁龙820芯片由14nm工艺制作而成,并拥有“4个定制内存”,并不存在发热问题。
据称是骁龙820的跑分成绩此前已经遭到曝光,虽然它在单核性能测试中击败了Exynos 7420,但多核测试成绩却在后者之下。此前曾有报道称,骁龙820并未使用ARM的处理核心,而是采用了高通自主研发的Kyro核心,主频达到了3GHz。
虽然王阳对于骁龙820没有发热问题的说法显得相当自信,但其他智能手机厂商显然都会更加小心的对这款芯片进行测试,来观察它到底是否真的不存在和骁龙810相同的发热以及性能节流问题。
根据之前的传闻,骁龙820将在今年12月份上市,采用该芯片的智能手机预计会在明年陆续上市,包括华硕PadFone S2、索尼Xperia Z5和HTC的旗舰手机。
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