数码讯(编译:大禾)高通最新的片上系统方案将提供全新的充电功能,称之为“Quick Charge 3.0”。这一功能将作为全新标准出现在骁龙820、620、618、617以及430中。届时,将智能手机电池的电量从0充至80%只需花费短短35分钟即可。
高通表示,只要厂商使用了公司的“高级并行充电配置”,那么这一全新充电标准与“Quick Charge 2.0”相比,将会“提升充电速度最快达27%,同时降低至多45%的功率损耗”。
全新的标准使用了称之为“最适电压智能协商”(INOV)的算法,使得设备可以持续向充电器请求电压水平,范围从3.6V至20V,每一档的间隔为200mV。相比之下,Quick Charge 2.0仅仅提供了4档充电电压,而3.0提供了82种不同电压水平。高通表示,这将会“最小化损耗,增加效率,同时提高热性能”。
Quick Charge 3.0提供了针对1.0以及2.0版本的后向兼容性,同时独立于连接器型号。当然,用户需要全新的手机以及充电器才能享受这项标准带来的便利。
高通预计,该技术将会从明年起开始逐渐普及。
来源:arstechnica
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