高通骁龙830芯片集成更强快充 最高28瓦充电

   原标题：高通骁龙830芯片集成更强快充 最高28瓦充电

   数码讯（文心）据Ubergizmo网站报道，骁龙830将是高通明年的旗舰手机芯片组。Ubergizmo预计，与前几代产品相比，它运行速度更快，也更节能。Ubergizmo还预计高通将推出新一代Quick Charge充电技术。fudzilla刊文称，骁龙830将集成有Quick Charge 4.0。

   Quick Charge 4.0充电功率可以达到28瓦，充电方式有5伏/4.7安~5.6安、9伏/4安。目前Quick Charge 3.0充电功率为18瓦，因此Quick Charge 4.0充电功率增幅相当大。

   Ubergizmo不能确定Quick Charge 4.0充电时间比Quick Charge 3.0缩短多少。但是，鉴于Quick Charge 3.0充电速度已经相当快，Quick Charge 4.0充电速度应当更上一层楼。

   Ubergizmo要提醒读者的是，谷歌对各种专有快速充电技术并存相当不满意。谷歌最近修订了《Android兼容性定义文档》中与USB-C兼容性有关的部分。虽然目前这些要求还更多的是建议性的，但谷歌也指出，未来这些要求可能成为强制性的。

   来源：Ubergizmo

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